封裝外形 :
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P-DIT/塑料雙列直插
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種類 :
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絕緣柵(MOSFET)
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用途 :
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MOS-HBM/半橋組件
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導電方式 :
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增強型
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品牌 :
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INFINEON/英飛凌
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材料 :
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IGBT絕緣柵比極
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溝道類型 :
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N溝道
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型號 :
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FF200R12KS4
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IGBT、二極管、整流橋、IPM、電容
可控硅-快速系列,交期快,貨源穩,品質保證
經銷以下品牌功率半導體器件
1:日本三社SanRex:可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊。
2:德國西門康SEMIKRON:IGBT模塊;可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二極管。
3:德國英飛凌Infineon:IGBT模塊;PIM模塊;可控硅模塊。
4:德國艾賽斯IXYS:快速恢復二極管模塊;可控硅模塊。
5:日本三菱MITSUBISHI:IGBT模塊;IPM模塊;PIM模塊。
6:日本富士FUJI:IGBT模塊;IPM模塊;三相整流橋模塊。
7:美國威士VISHAY:螺栓二極管;螺栓可控硅。
8:日本東芝TOSHIBA:IGBT模塊;整流橋模塊;GTO門極關斷可控硅。
9:IGBT無感吸收電容:美國CDE;加拿大EACO:德國EPCOS。
10:英國西碼WESTCODE:平板型可控硅;平板型二極管;螺栓型可控硅、螺栓型二極管。
11:意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二極管。
12:英國達尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二極管、GTO門極可關斷可控硅。
13:瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二極管、GTO門極可關斷可控硅。
14:快速熔斷器:美國BUSSMANN。
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